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| Soudure rapide et facile de nanofils par électroplacage au nickel | 2 sept. 2008 |
| Il existe de nos jours une grande variété de nanofils fabriqués à partir de différents matériaux conducteurs. Ces nanofils sont utilisés, en autres, pour la conception de nouveaux types composantes électroniques telles que des senseurs, des MEMs, des puces, etc. En plus d’être difficiles à manipuler en raison de leur ... |
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| IBM annonce la plus petite cellule de mémoire SRAM jamais fabriquée | 19 août 2008 |
| La compagnie IBM, en collaboration avec ses partenaires STMicroelectronics (Suisse), AMD (USA), Toshiba (Japon), Freescale (USA), de même que le College of Nanoscale Science and Engineering (New York, USA), a dévoilé le premier prototype fonctionnel d’une cellule de mémoire statique aléatoire (Static Random Access Memory ou SRAM) fabriqué à l’échelle ... |
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| HP développe une memristance fonctionnelle à l’échelle nanoscopique | 3 juil. 2008 |
| Une équipe des laboratoires Hewlett-Packard a réussi pour la première fois la fabrication de memristances (en anglais : memristors) fonctionnelles. Le concept de memristance est apparu en 1971 mais jusqu’à présent, personne n’était parvenu à en fabriquer une car le phénomène ne se produit qu’à l’échelle nanoscopique. Une résistance conventionnelle ... |
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| Des ponts déformables de nanotubes de carbone définissent l’état des bits dans des nouvelles mémoires RAM non volatiles. | 2 juin 2008 |
| La compagnie américaine Nantero Inc. (Woburn, Massachusetts), en partenariat avec SVTC Technologies (Austin, Texas), a commencé à offrir des films minces de nanotubes de carbone qui peuvent être utilisés dans la fabrication de puces électroniques. Une des premières applications présentement en cours de développement est la fabrication d’une mémoire RAM non ... |
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| Une première mémoire flash NAND fabriquée avec des lignes de moins de 40 nanomètres. | 29 mai 2008 |
| Une première mémoire flash NAND vient d’être fabriquée avec des lignes de moins de 40 nanomètres (voir image NAND-1). D’une capacité de 32 gigabits, cette nouvelle puce de mémoire est fabriquée à partir d’un procédé multi-niveaux à 34 nanomètres. Le procédé a été développé conjointement par Intel et Micron Technology, ... |
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